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簡要描述：9bit 可調(diào)光延時線芯片 SOI 硅光子集成多比特光時延芯片基于厚膜 SOI 硅光子技術(shù)，是目前綜合性能和集成度最高的光時延器產(chǎn)品。采用二進(jìn)制多級時延回路結(jié)構(gòu)，芯片集成時延切換開關(guān)和包含了均衡和雜波抑制衰減器的延遲光波導(dǎo)回路，延時切換時間達(dá)到 200ns 以下，最大總時延量 1022ps；延時精度 0.5ps，片內(nèi)單級延時損耗低至 0.8dB/bit
產(chǎn)品型號：ZG廠商性質(zhì)：生產(chǎn)廠家更新時間：2025-05-10訪 問 量：2824詳細(xì)介紹
| 品牌 | 梓冠 |
|---|
硅基單片集成 9bit 可調(diào)光延時線芯片
〖簡介Introduction〗
單片集成多比特光時延芯片基于厚膜 SOI 硅光子技術(shù)，是目前綜合性能和集成度最高的光時延器產(chǎn)品。采用二進(jìn)制多級時延回路結(jié)構(gòu)，芯片集成時延切換開關(guān)和包含了均衡和雜波抑制衰減器的延遲光波導(dǎo)回路，延時切換時間達(dá)到 200ns 以下，最大總時延量 1022ps；延時精度 0.5ps，片內(nèi)單級延時損耗低至 0.8dB/bit。相比于傳統(tǒng)采用微波傳輸線的電時延芯片，光時延器可以適用任意的微波和毫米波頻段，具有極低的串?dāng)_非目標(biāo)時延信號消光比。最大時延 1ns 的 9bit 可調(diào)光延時芯片尺寸小至 2cm×1.5cm，大幅度減小系統(tǒng)體積；由于光載波頻率相對于微波信號大至 4 個數(shù)量級的頻率比，光子集成的時延器芯片具有覆蓋從米波到毫米波全頻段的信號處理能力，適合各類超寬帶相控陣的波束合成應(yīng)用。
〖特性Features〗
n 高速切換（100～200ns）
n 高延時精度（0.5ps 典型值，0.2ps 可達(dá)）
n 超小尺寸
n 超寬帶工作
n 全固態(tài)波導(dǎo)芯片可靠性強(qiáng)
n 大時延范圍(～2ns 可達(dá))
n 高功率耐受度（ 23dBm 典型值）
應(yīng)用Applications〗
n 光控相控陣系統(tǒng)、超寬帶光域信號處理
性能指標(biāo)/Parameter | 單位/Unit | 典型值/Typ. | 備注/Notes |
工作波長/Operationwavelength | nm | 1530-1570 | |
延時位數(shù)/Delay bits | / | 9 | 可定制/Can be customized |
最小延時步進(jìn)/Min.step-delay | ps | 2 | 可定制/Can be customized |
可調(diào)節(jié)最大延時量/Adjustable max.delay | ps | 1022 | |
延時精度 | ps | ±0.5 | ≤16ps 延時量 |
±1 | 18~64ps 延時量 | ||
±2 | 66~512ps 延時量 | ||
±3 | 514~1022ps 延時量 | ||
延時切換時間/Delay switching time | ns | 200 | |
插入損耗/Insertion loss | dB | 11 | 13dB max |
各延時態(tài)損耗差異/Delay state loss difference | dB | ±1 | |
耐受光功率 | dBm | 23 | 26dBm max |
回波損耗/Return loss | dB | 45 | |
芯片尺寸/Chip dimension | mm | 20×15×0.7 |
9bit 可調(diào)光延時線芯片 SOI 硅光子
9bit 可調(diào)光延時線芯片 SOI 硅光子
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